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M966G5115AQ0-C70

更新时间： 2024-11-26 06:33:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	164K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 512KX64, 5.5ns, CMOS, DIMM-144

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M966G5115AQ0-C70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M966G5115AQ0-C70 数据手册

SGRAM MODULE

M965G5115AP(Q)0 / M966G5115AP(Q)0

M965G5115AP(Q)0 / M966G5115AP(Q)0 SGRAM SODIMM

512Kx64 SGRAM SODIMM based on 512Kx32, 2K Refresh, 3.3V Synchronous Graphic RAMs

FEATURE

GENERAL DESCRIPTION

• Performance range

Part NO.

The Samsung M965(6)G5115AP(Q)0 is a 512K bit x 64 Syn-

chronous Graphic RAM high density memory module. The

Samsung M965(6)G5115AP(Q)0 consists of two CMOS 512K

x 32 bit Synchronous Graphic RAMs in 100pin QFP packages

mounted on a 144pin glass-epoxy substrate. Five 0.1uF

decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board

for each Synchronous GRAM. The M965(6)G5115AP(Q)0 is a

Small Outline Dual In-line Memory Module and is intended for

mounting into 144-pin edge connector sockets.

Max. Freq. (tCC)

200MHz (5ns)

166MHz (6ns)

143MHz (7ns)

125MHz (8ns)

M965(6)G5115AP(Q)0-C50

M965(6)G5115AP(Q)0-C60

M965(6)G5115AP(Q)0-C70

M965(6)G5115AP(Q)0-C80

* M965(6)G5115AP0 : based on PQFP Component

M965(6)G5115AQ0 : based on TQFP Component

• Burst Mode Operation

• BLOCK-WRITE and Write-per-bit capability

• Independent byte operation via DQM0 ~ 7

• Auto & Self Refresh Capability (2048 cycles / 32ms)

• LVTTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V±0.3V power supply

• MRS cycle with address key programs.

CAS Latency (2, 3)

Burst Length (1, 2, 4, 8 & Full page)

Data Scramble (Sequential & Interleave)

• Optional Serial PD with EEPROM (M966G5115A)

• Resistor Strapping Options for speed and CAS Latency

• PCB : Height(1000mil), single sided components

Synchronous design allows precise cycle control with the use

of system clock. I/O transactions are possible on every clock

cycle. Range of operating frequencies, programmable laten-

cies and burst lengths allows the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system

applications.

PIN CONFIGURATIONS (Front Side / Back Side)

PIN NAMES

Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back

Pin Name

A0 ~ A9

Function

VSS

95 DQ31 96 DQ30

97 DQ29 98 DQ28

99 DQ27 100 DQ26

101 DQ25 102 DQ24

Address Input(multiplexed)

Bank Select Address

Data Input / Output

Voltage Key

DQ63

DQ61

DQ59

DQ62

DQ60

DQ58

DQ56

VDD

DQ54

DQ52

DQ50

DQ48

VSS

BA(A10)

DQ0 ~ 63

RSVD

VSS

52 RSVD

54 RSVD

CLK0, *CLK1 Clock Input

DQ57 10

103

VSS

104

VSS

CKE

Clock Enable Input

VDD

105 DQ23 106 DQ22

107 DQ21 108 DQ20

109 DQ19 110 DQ18

111 DQ17 112 DQ16

DSF

RFU

VDD

58 RFU

60 RFU

62 **SBA

13 DQ55 14

15 DQ53 16

17 DQ51 18

19 DQ49 20

CS0, *CS1

RAS

Chip Select Input

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

VDD

CAS

113

VDD

114

VDD

CS1

RAS

66 CS0

68 CAS

70 CKE

VSS

115 DQM3 116 DQM2

117 DQM1 118 DQM0

23 DQM7 24 DQM6

25 DQM5 26 DQM4

29 DQ47 30

31 DQ45 32

33 DQ43 34

35 DQ41 36

DSF

Define Special Function

DQM

119

VSS

120

VSS

CLK1

VDD

RSVD

(A11)

74 CLK0

78 RSVD

80 A8

VSS

DQM0 ~ 7

VDD

121 DQ15 122 DQ14

123 DQ13 124 DQ12

125 DQ11 126 DQ10

127 DQ9 128 DQ8

Power Supply (3.3V)

Ground

DQ46

DQ44

DQ42

DQ40

VSS

DQ38

DQ36

DQ34

DQ32

VDD

VSS

**SDA

**SBA

**SCL

RSVD

RFU

Serial Address Data I/O

EEPROM Device Address

Serial Clock

129

VDD

130

VDD

VSS

131 DQ7 132 DQ6

133 DQ5 134 DQ4

135 DQ3 136 DQ2

137 DQ1 138 DQ0

81 BA(A10) 82 A9/AP

39 DQ39 40

41 DQ37 42

43 DQ35 44

45 DQ33 46

VSS

Reserved

Reserved for future use

No Connection

139

141 **SDA 142 **SCL

143 144

VSS

140

VSS

VDD

* These pins are not used in this module.

** These pins should be NC in the system

which does not support SPD.

49 RSVD 50 RSVD

VDD

SAMSUNG ELECTRONICS CO. Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.

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与M966G5115AQ0-C70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M966G5115AQ0-C80	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 512KX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
M966G5125BP0-C70	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 512KX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144
M966G5125BP0-C80	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 512KX64, 6.5ns, CMOS, SODIMM-144
M966G5125BQ0-C10	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
M966G5125BQ0-C80	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM Module, 512KX64, 6.5ns, CMOS, SODIMM-144
M-969C	IXYS	获取价格	Telephone Dialer Circuit, CDIP20, CERDIP-20
M-969P	IXYS	获取价格	Telephone Dialer Circuit, PDIP20, PLASTIC, DIP-20
M-97060	ETC	获取价格	音频变压器
M9708060BK199	ALPHAWIRE	获取价格	Wire And Cable,
M9708080BK001	ALPHAWIRE	获取价格	Wire And Cable,

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