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M95080-DFMC6TG/G

更新时间： 2024-09-29 10:36:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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描述
SPI BUS SERIAL EEPROM

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M95080-DFMC6TG/G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	HVSON,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
长度：	3 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	座面最大高度：	0.6 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	2 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

M95080-DFMC6TG/G 数据手册

M95080-W M95080-R M95080-DF

8-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock

Datasheet - production data

Features

• Compatible with the Serial Peripheral Interface

(SPI) bus

• Memory array

– 8 Kb (1 Kbyte) of EEPROM

SO8 (MN)

150 mil width

– Page size: 32 bytes

– Additional Write lockable Page

(Identification page)

• Write

– Byte Write within 5 ms

– Page Write within 5 ms

• Write Protect: quarter, half or whole memory

TSSOP8 (DW)

169 mil width

array

• High-speed clock: 20 MHz

• Single supply voltage:

– 2.5 V to 5.5 V for M95080-W

– 1.8 V to 5.5 V for M95080-R

– 1.7 V to 5.5 V for M95080-DF

UFDFPN8 (MC)

• Operating temperature range: from -40°C up to

2 x 3 mm

+85°C

• Enhanced ESD protection

• More than 4 million Write cycles

• More than 200-year data retention

• Packages

– RoHS compliant and halogen-free

(ECOPACK )

March 2014

DocID022540 Rev 3

1/44

This is information on a product in full production.

www.st.com

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