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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M6MGB166S4BWG
M6MGB166S4BWG PDF预览

M6MGB166S4BWG

更新时间： 2024-01-07 08:34:30
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 253K
描述
CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-CSP

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M6MGB166S4BWG 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA72(UNSPEC)
针数：72Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
其他特性：COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NSJESD-30 代码：R-PBGA-B72
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：72字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA72(UNSPEC)
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

M6MGB166S4BWG 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M6MGB/T166S4BWG  
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS  
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &  
4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT) CMOS SRAM  
Stacked-CSP (Chip Scale Package)  
DESCRIPTION  
FEATURES  
• Access time  
The MITSUBISHI M6MGB/T166S4BWG is a Stacked Chip  
Scale Package (S-CSP) that contents 16M-bits flash  
memory and 4M-bits Static RAM in a 72-pin S-CSP.  
Flash Memory  
SRAM  
• Supply voltage  
• Ambient temperature  
I version  
90ns (Max.)  
85ns (Max.)  
Vcc=2.7 ~ 3.6V  
16M-bits Flash memory is a 1,048,576 words, 3.3V-only,  
and high performance non-volatile memory fabricated by  
CMOS technology for the peripheral circuit and  
DINOR(DIvided bit-line NOR) architecture for the memory  
cell.  
Ta=-40 ~ 85°C  
• Package : 72-pin S-CSP , 0.8mm ball pitch  
4M-bits SRAM is a 262,144words unsynchronous SRAM  
fabricated by silicon-gate CMOS technology.  
APPLICATION  
Mobile communication products  
M6MGB/T166S4BWG is suitable for the application of the  
mobile-communication-system to reduce both the mount  
space and weight .  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
INDEX (Laser Marking)  
1
2
3
4
5
6
7
8
NC  
NC  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
F-VCC  
S-VCC  
F-GND  
GND  
:Vcc for Flash  
NC  
NC  
A5  
NC  
:Vcc for SRAM  
:GND for Flash  
GND  
F-A18 S-LB#  
F-A17 S-UB#  
F-WE#  
F-  
F-WP#  
A16 NC  
A8 A11  
A10 A15  
A9 A14  
:Flash/SRAM common GND  
F-RP# RY/BY#  
NC  
A0-A16  
:Flash/SRAM  
common Address  
F-A19  
A7  
S-OE#  
DU DU  
A4  
:Address for Flash  
:Address for SRAM  
F-A17-F-A19  
S-A17  
DQ11  
S-A17  
A0  
A6 NC  
DU  
DQ0-DQ15  
:Flash/SRAM  
common Data I/O  
F-CE#  
F-GND  
F-OE#  
DU  
NC  
NC  
DQ12  
DQ13  
DQ15  
A3  
A13  
DQ9 DU  
F-CE#  
S-CE1#  
S-CE2  
:Flash Chip Enable  
:SRAM Chip Enable 1  
:SRAM Chip Enable 2  
S-  
CE2  
DQ10  
S-WE#  
A2 DQ8  
DQ6  
A12  
S-VCC  
F-VCC  
DQ14  
A1  
F-GND  
DQ0 DQ2  
DQ1 DQ3  
DQ4  
F-OE#  
S-OE#  
:Flash Output Enable  
:SRAM Output Enable  
S-  
CE1#  
NC  
NC  
NC  
DQ5 DQ7  
J
F-WE#  
S-WE#  
F-WP#  
F-RP#  
:Flash Write Enable  
:SRAM Write Enable  
:Flash Write Protect  
:Flash Reset Power Down  
:Flash Ready /Busy  
:SRAM Lower Byte  
:SRAM Upper Byte  
K
L
F-RY/BY#  
S-LB#  
S-UB#  
8.0 mm  
NC:Non Connection  
DU:Don't Use (Note: Should be open)  
1
Nov. 1999 , Rev.3.2  
1234567...30

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与M6MGB166S4BWG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M6MGB166S4BWG-85 MITSUBISHI

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
M6MGB166S4BWG-90 MITSUBISHI

获取价格

 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
M6MGB331S4BKT RENESAS

获取价格

 		33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH M
M6MGB331S8AKT RENESAS

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 		33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8
M6MGB331S8BKT RENESAS

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 		33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8
M6MGB641S8AKT RENESAS

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 		M6MGB641S8AKT
M6MGB647M17AKT RENESAS

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 		M6MGB647M17AKT
M6MGB647M34CKT RENESAS

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 		M6MGB647M34CKT
M6MGB64BM17AWG RENESAS

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 		M6MGB64BM17AWG
M6MGB64BM34CWG RENESAS

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 		M6MGB64BM34CWG

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