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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 静态存储器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
18页 | 251K | |
描述 | ||
1 Mbit 64K x16 3.0V Asynchronous SRAM |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M68AW064FL70ZB6 | STMICROELECTRONICS |
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64KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 | |
M68AW064FL70ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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1 Mbit 64K x16 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW064FZB | STMICROELECTRONICS |
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1 Mbit 64K x16 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW127 | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW127B | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW127BL10MC1 | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, PLASTIC, SO-32 | |
M68AW127BL10MC1T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW127BL10MC6 | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, PLASTIC, SO-32 | |
M68AW127BL10MC6T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM | |
M68AW127BL10N1T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM |