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M68AW127BL70N1

更新时间: 2024-11-21 20:41:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 343K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

M68AW127BL70N1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.0000045 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M68AW127BL70N1 数据手册

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M68AW127B  
1Mbit (128K x8), 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
TSOP32  
8 x 20mm  
(N)  
TSOP32  
8 x 13.4mm  
(NK)  
September 2004  
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