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M68AW127BM10NK6T

更新时间: 2024-11-07 22:22:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 309K
描述
1Mbit 128K x8, 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW127BM10NK6T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

M68AW127BM10NK6T 数据手册

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M68AW127B  
1Mbit (128K x8), 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
TSOP32  
8 x 20 mm  
(N)  
TSOP32  
8 x 13.4 mm  
(NK)  
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