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M5M5256DVP-85VXL-W

更新时间： 2024-11-20 22:15:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
7页 50K
描述
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5256DVP-85VXL-W 数据手册

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'97.4.7  
MITSUBISHI LSIs  
M5M5256DFP,VP,RV -70VLL-W,-85VLL-W,  
-70VXL-W,-85VXL-W  
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M5256DFP,VP,RV is 262,144-bit CMOS static RAMs  
organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using  
high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of  
resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high  
density and low power static RAM. Stand-by current is small  
enough for battery back-up application. It is ideal for the memory  
systems which require simple interface.  
A14  
A12  
Vcc  
/W  
28  
27  
26  
25  
1
2
3
A7  
A6  
A5  
A4  
A13  
A8  
4
24 A9  
5
Especially the M5M5256DVP,RV are packaged in a 28-pin thin  
small outline package.Two types of devices are available,  
M5M5256DVP(normal lead bend type package),  
M5M5256DRV(reverse lead bend type package). Using both types of  
devices, it becomes very easy to design a printed circuit board.  
A11  
23  
6
22 /OE  
7
A3  
21  
20  
19  
A2  
A1  
A0  
DQ1  
DQ2  
8
9
A10  
/S  
DQ8  
10  
11  
12  
18 DQ7  
DQ6  
DQ5  
17  
16  
15  
FEATURE  
DQ3 13  
GND  
14  
Power supply current  
Active Stand-by  
Access  
time  
DQ4  
Type  
Outline 28P2W-C (DFP)  
(max)  
70ns  
85ns  
(max)  
(max)  
M5M5256DFP,VP,RV-70VLL  
M5M5256DFP,VP,RV-85VLL  
A10  
21  
20  
19  
22  
23  
24A9  
25A8  
26A13  
27  
/W  
28Vcc  
1
2
3
4 A6  
5 A5  
6 A4  
7 A3  
/OE  
A11  
12µA  
(Vcc=3.6V)  
/S  
DQ8  
25mA  
(Vcc=3.6V)  
DQ7 18  
DQ6 17  
DQ5 16  
DQ415  
GND  
DQ313  
DQ2  
DQ1  
A0  
2.4µA  
(Vcc=3.6V)  
M5M5256DFP,VP,RV-70VXL  
M5M5256DFP,VP,RV-85VXL  
70ns  
85ns  
0.05µA  
M5M5256DVP  
-W  
(Vcc=3.0V,  
Typical)  
14  
A14  
A12  
A7  
12  
11  
10  
9
•Single +3.3±0.3V power supply  
•No clocks, no refresh  
•Data-Hold on +2.0V power supply  
•Directly TTL compatible : all inputs and outputs  
•Three-state outputs : OR-tie capability  
•/OE prevents data contention in the I/O bus  
•Common Data I/O  
A1  
A2 8  
Outline 28P2C-A (DVP)  
•Battery backup capability  
•Low stand-by current··········0.05µA(typ.)  
A2  
A1  
A0  
A3  
A4  
A5  
8
9
10  
7
6
5
4 A6  
DQ111  
DQ2  
DQ3  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
3 A7  
2 A12  
1 A14  
12  
13  
PACKAGE  
M5M5256DFP  
M5M5256DVP,RV : 28pin 8 X 13.4 mm TSOP  
: 28 pin 450 mil SOP  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
2
M5M5256DRV  
-W  
Vcc  
28  
27 /W  
26 A13  
25 A8  
DQ7  
DQ8  
/S 20  
A10  
APPLICATION  
A9  
A11  
/OE  
24  
23  
22  
Small capacity memory units  
21  
Outline 28P2C-B (DRV)  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
1234567

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与M5M5256DVP-85VXL-W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5256FP MITSUBISHI

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 		262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5256FP-10 MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-10L MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-10LL MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-12 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-12LL MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-15 MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-15L MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-15LL MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, SOP-28
M5M5256FP-45LL MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO28

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