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M5M465165DTP-5S PDF预览

M5M465165DTP-5S

更新时间： 2024-11-20 22:46:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
39页 272K
描述
EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM

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M5M465165DTP-5S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.3Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G50JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：50字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.14 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

M5M465165DTP-5S 数据手册

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(Rev. 1.0)  
MITSUBISHI LSIs  
M5M467405/465405DJ,DTP -5,-6,-5S,-6S  
M5M467805/465805DJ,DTP -5,-6,-5S,-6S  
M5M465165DJ,DTP -5,-6,-5S,-6S  
EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM  
EDO MODE 67108864-BIT (8388608-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM  
EDO MODE 67108864-BIT (4194304-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM  
Some of contents are subject to change without notice.  
PRELIMINARY  
DESCRIPTION  
The M5M467405/465405DJ,DTP is a 16777216-word by 4-bit, M5M467805/465805DJ,DTP is a 8388608-word by 8-bit, and  
M5M465165DJ,DTP is a 4194304-word by 16-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance CMOS process, and are  
suitable for large-capacity memory systems with high speed and low power dissipation.  
FEATURES  
Address  
access access access  
time time time  
Power  
dissipa-  
tion  
RAS  
OE  
Power  
dissipa-  
tion  
CAS  
Cycle  
time  
Address  
access  
time  
RAS  
access access  
time time  
CAS  
OE  
Cycle  
time  
access  
time  
access  
time  
Type name  
Type name  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns) (typ.mW)  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns)  
(min.ns)  
(typ.mW)  
M5M467405DXX-5,5S  
M5M467805DXX-5,5S  
50  
60  
M5M465165DXX-5,5S  
M5M465165DXX-6,6S  
13  
15  
420  
13  
15  
84  
25  
30  
50  
60  
50  
60  
13  
15  
13  
15  
25  
30  
25  
30  
13  
15  
13  
15  
300  
250  
390  
325  
84  
104  
84  
M5M467405DXX-6,6S  
M5M467805DXX-6,6S  
390  
104  
M5M465405DXX-5,5S  
M5M465805DXX-5,5S  
M5M465405DXX-6,6S  
M5M465805DXX-6,6S  
104  
XX=J,TP  
(M5M467405Dxx/M5M465405Dxx/M5M467805Dxx/M5M465805Dxx)  
(M5M465165Dxx)  
Standard 32 pin SOJ, 32 pin TSOP  
Standard 50 pin SOJ, 50 pin TSOP  
±
Single 3.3 0.3V supply  
Low stand-by power dissipation  
1.8mW (Max)  
LVCMOS input level  
Low operating power dissipation  
M5M467405Dxx-5,5S / M5M467805Dxx-5,5S  
M5M467405Dxx-6,6S / M5M467805Dxx-6,6S  
M5M465405Dxx-5,5S / M5M465805Dxx-5,5S  
M5M465405Dxx-6,6S / M5M465805Dxx-6,6S  
M5M465165Dxx-5,5S  
360.0mW (Max)  
324.0mW (Max)  
468.0mW (Max)  
432.0mW (Max)  
504.0mW (Max)  
468.0mW (Max)  
M5M465165Dxx-6,6S  
Self refresh capability*  
Self refresh current  
400µA (Max)  
EDO mode , Read-modify-write, CAS before RAS refresh, Hidden refresh capabilities  
Early-write mode , OE and W to control output buffer impedance  
All inputs, outputs LVTTL compatible and low capacitance  
:Applicable to self refresh version(M5M467405/465405/467805/465805/465165DJ,DTP-5S,-6S:option) only  
*
ADDRESS  
Refresh Cycle  
Normal S-version  
8192/64ms 8192/128ms  
Row Add. Col. Add.  
A0-A12 A0-A10  
Refresh  
Part No.  
RAS Only Ref,Normal R/W  
CBR Ref,Hidden Ref  
M5M467405Dxx  
4096/64ms  
4096/64ms  
4096/128ms  
4096/128ms  
RAS Only Ref,Normal R/W  
CBR Ref,Hidden Ref  
M5M465405Dxx A0-A11 A0-A11  
8192/64ms 8192/128ms  
RAS Only Ref,Normal R/W  
CBR Ref,Hidden Ref  
A0-A12 A0-A9  
M5M467805Dxx  
4096/64ms  
4096/64ms  
4096/128ms  
4096/128ms  
RAS Only Ref,Normal R/W  
CBR Ref,Hidden Ref  
A0-A10  
A0-A9  
M5M465805Dxx A0-A11  
M5M465165Dxx A0-A11  
RAS Only Ref,Normal R/W  
CBR Ref,Hidden Ref  
4096/128ms  
4096/64ms  
APPLICATION  
Main memory unit for computers, Microcomputer memory, Refresh memory for CRT  
1
Aug. 1999  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1234567...39

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与M5M465165DTP-5S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M465165DTP-6 MITSUBISHI

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 		EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465165DTP-6S MITSUBISHI

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 		EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400AJ-6S MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
M5M465400ATP-5S MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32
M5M465400BJ MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400BJ-5 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400BJ-5S MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400BJ-6 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400BJ-6S MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M465400BTP-5 MITSUBISHI

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