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M5M416100CJ-6

更新时间： 2024-01-08 18:22:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 173K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-26/24

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M5M416100CJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ24/26,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PDSO-J24
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：3.55 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm

M5M416100CJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M416100C J,TP -5, -6, -7, -5S, -6S, -7S  
FAST PAGE MODE 16777216-BIT ( 16777216-WORD BY 1-BIT ) DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
This is a family of 16777216-word by 1-bit dynamic RAMS,  
fabricated with the high performance CMOS process,and is  
ideal for large-capacity memory systems where high speed,  
low power dissipation , and low costs are essential.  
PIN CONFIGURATION ( TOP VIEW )  
The use of double-layer metal process combined with  
twin-well CMOS technology and a single-transistor dynamic  
storage stacked capacitor cell provide high circuit density at  
reduced costs. Multiplexed address inputs permit both a  
reduction in pins and an increase in system densities.  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
Vss  
Q
Vcc  
D
NC  
NC  
W
FEATURES  
CAS  
NC  
Power  
RAS  
A11  
RAS  
access access access  
time time time  
CAS  
Address  
Cycle  
time  
dissipa-  
tion  
Type name  
21  
A9  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns) (typ.mW)  
M5M416100CXX-5,-5S  
M5M416100CXX-6,-6S  
50  
60  
70  
25  
30  
35  
13  
15  
90  
110  
130  
495  
405  
340  
8
9
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A10  
A0  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
M5M416100CXX-7,-7S  
XX=J,TP  
20  
10  
11  
12  
13  
A1  
A2  
26P0D-B  
A3  
(300mil SOJ)  
Vcc  
Standard 26 pin SOJ,26 pin TSOP  
Single 5V±10%supply  
Low stand-by power dissipation  
2.75mW (Max)  
CMOS lnput level  
CMOS Input level  
1.10mW (Max)*  
Low operating power dissipation  
M5M416100Cxx- 5,-5S  
M5M416100Cxx- 6,-6S  
M5M416100Cxx- 7,-7S  
Self refresh capability*  
self refresh current  
605.0mW (Max)  
495.0mW (Max)  
415.0mW (Max)  
200.0uA(Max)  
26  
25  
24  
23  
22  
1
2
3
4
5
6
Fast-page mode , Read-modify-write,RAS-only refresh  
CAS before RAS refresh, Hidden refresh capabilities  
Early-write mode to control output buffer impedance  
All inputs, output TTL compatible and low capacitance  
4096 refresh cycles every 64ms (A0~A11)  
Vss  
Q
Vcc  
D
NC  
NC  
W
CAS  
NC  
*Applicable to self refresh version (M5M416100CJ,TP  
-5S,-6S,-7S : option only)  
RAS  
A11  
21  
A9  
APPLICATION  
8
19  
18  
17  
16  
15  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
A10  
A0  
Main memory unit for computers, Microcomputer memory,  
9
Refresh memory for CRT  
10  
11  
12  
A1  
PIN DESCRIPTION  
A2  
26P3D-E  
Pin Name Function  
A3  
13 (300mil TSOP) 14  
Address Inputs  
Data Input  
A0-A11  
D
Vcc  
Data Output  
Q
RAS  
CAS  
Row Address Strobe Input  
Column Address Strobe Input  
Write Control Input  
W
Vcc  
Power Supply (+5V)  
Vss  
Ground (0V)  
Challenging to LowCost &  
HighPerformance  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
DRAM  
DRAM  
Oct. 1997  
1234567...21

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与M5M416100CJ-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M416100J-7 MITSUBISHI Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24

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M5M416100J-7T MITSUBISHI Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24

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M5M416100J-8T MITSUBISHI Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24

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M5M416100RT-7T MITSUBISHI Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24

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M5M416160BJ-6ST MITSUBISHI Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42

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M5M416160BJ-8ST MITSUBISHI Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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