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M5M29F016VP-10

更新时间： 2024-11-07 15:39:55

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	112K
描述
Flash, 2MX8, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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M5M29F016VP-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M29F016VP-80	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 2MX8, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
M5M29F25611VP	MITSUBISHI	获取价格	MORE THAN 16,057 SECTORS (271,299,072 BITS) CMOS 3.3V-ONLY SERIAL READ FLASH MEMORY
M5M29F6400ATP	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 8MX8, 50ns, PDSO48, TSOP2-48
M5M29FB160AFP-10	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 2MX8, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
M5M29FB160AFP-12	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
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M5M29FB160AVP-10	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29FB160AVP-80	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48