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M5M28F400RV-12

更新时间： 2024-11-21 21:06:51

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	464K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48

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M5M28F400RV-12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 10K ERASE/PROGRAM CYCLES
备用内存宽度：	16	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	16.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M5M28F400RV-12 数据手册

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M5M28F400VP-12	MITSUBISHI	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48
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