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M59DR032EB12ZF6E

更新时间： 2024-11-13 18:53:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	369K
描述
2MX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M59DR032EB12ZF6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.35	最长访问时间：	120 ns
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	7 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M59DR032EB12ZF6E 数据手册

M59DR032EA

M59DR032EB

32 Mbit (2Mb x 16, Dual Bank, Page )

1.8V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V

= V

= 1.65V to 2.2V for Program,

DDQ

Erase and Read

– V = 12V for fast Program (optional)

■ ASYNCHRONOUS PAGE MODE READ

– Page Width: 4 Words

BGA

– Page Access: 35ns

– Random Access: 85ns, 100ns and 120ns

■ PROGRAMMING TIME

TFBGA48 (ZB)

7 x 12mm

– 10µs by Word typical

– Double Word Program Option

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 4 Mbit, 28 Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

■ DUAL BANK OPERATIONS

BGA

– Read within one Bank while Program or

Erase within the other

TFBGA48 (ZF)

7 x 7mm

– No delay between Read and Write operations

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

– 64 bit Unique Device Identifier

– 64 bit User Programmable OTP Cells

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code, M59DR032EA: 00A0h

– Bottom Device Code, M59DR032EB: 00A1h

April 2003

1/43

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M59DR032EB12ZF6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
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