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M59DR032F100N1T

更新时间： 2024-11-13 20:46:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	270K
描述
Flash, 2MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M59DR032F100N1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.28
最长访问时间：	100 ns	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M59DR032F100N1T 数据手册

M59DR032A

M59DR032B

32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SUPPLY VOLTAGE

– V

= V

= 1.65V to 2.2V: for Program,

DDQ

Erase and Read

– V

= 12V: optional Supply Voltage for fast

Program and Erase

■ ASYNCHRONOUS PAGE MODE READ

– Page Width: 4 words

BGA

– Page Access: 35ns

– Random Access: 100ns

TSOP48 (N)

12 x 20mm

FBGA48 (ZB)

8 x 6 solder balls

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs by Word typical

– Double Word Programming Option

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 4 Mbit - 28 Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

Figure 1. Logic Diagram

■ DUAL BANK OPERATIONS

– Read within one Bank while Program or

Erase within the other

DD DDQ PP

– No delay between Read and Write operations

■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION

– All Blocks protected at Power Up

A0-A20

DQ0-DQ15

– Any combination of Blocks can be protected

– WP for Block Locking

M59DR032A

M59DR032B

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

■ 64 bit SECURITY CODE

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

AI02544B

– Device Code, M59DR032A: A0h

– Device Code, M59DR032B: A1h

October 1999

1/38

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M59DR032F100N6	NUMONYX	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR032F100N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F100ZB1	NUMONYX	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
M59DR032F100ZB1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F100ZB6	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
M59DR032F100ZB6	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
M59DR032F100ZB6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F120N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F120N1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR032F120N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

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