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M59DR032EB10ZF1F

更新时间： 2024-11-13 19:45:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 739K
描述
2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M59DR032EB10ZF1F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.35Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：S-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：7 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：7 mm
Base Number Matches：1

M59DR032EB10ZF1F 数据手册

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M59DR032EA  
M59DR032EB  
32 Mbit (2Mb x 16, Dual Bank, Page )  
1.8V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V  
= V  
= 1.65V to 2.2V for Program,  
DDQ  
DD  
Erase and Read  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
■ ASYNCHRONOUS PAGE MODE READ  
– Page Width: 4 Words  
BGA  
– Page Access: 35ns  
– Random Access: 85ns, 100ns and 120ns  
■ PROGRAMMING TIME  
TFBGA48 (ZB)  
7 x 12mm  
– 10µs by Word typical  
– Double Word Program Option  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 4 Mbit, 28 Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL BANK OPERATIONS  
BGA  
– Read within one Bank while Program or  
Erase within the other  
TFBGA48 (ZF)  
7 x 7mm  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
– 64 bit Unique Device Identifier  
– 64 bit User Programmable OTP Cells  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code, M59DR032EA: 00A0h  
– Bottom Device Code, M59DR032EB: 00A1h  
April 2003  
1/43  
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与M59DR032EB10ZF1F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M59DR032EB10ZF6 STMICROELECTRONICS

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 		2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 7 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M59DR032EB10ZF6E STMICROELECTRONICS

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M59DR032EB10ZF6F NUMONYX

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