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M53233200CE0-C60

更新时间: 2024-11-11 19:55:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 451K
描述
EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

M53233200CE0-C60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:72
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX32
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

M53233200CE0-C60 数据手册

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DRAM MODULE  
M53233200CE0/CJ0-C  
4Byte 32Mx32 SIMM  
(16Mx4 base)  
Revision 0.0  
June 1999  

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