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M53233200CJ0-C60

更新时间: 2024-11-11 19:55:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 451K
描述
EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

M53233200CJ0-C60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:72
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX32封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

M53233200CJ0-C60 数据手册

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DRAM MODULE  
M53233200CE0/CJ0-C  
4Byte 32Mx32 SIMM  
(16Mx4 base)  
Revision 0.0  
June 1999  

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