Datasheet > 存储 > SRAM> M48Z2M1Y-70PL1

M48Z2M1Y-70PL1

更新时间： 2024-09-24 22:08:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	104K
描述
16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM

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M48Z2M1Y-70PL1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	PLASTIC, MODULE, DIP-36
针数：	36	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T36
JESD-609代码：	e0	长度：	52.96 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	36	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP36,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	9.52 mm	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

M48Z2M1Y-70PL1 数据手册

M48Z2M1

M48Z2M1Y

16 Mb (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM

INTEGRATED LOW POWER SRAM,

POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and

BATTERIES

CONVENTIONAL SRAM OPERATION;

UNLIMITED WRITE CYCLES

10 YEARS of DATA RETENTION in the

ABSENCE of POWER

AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT

and WRITE PROTECTION

WRITE PROTECT VOLTAGES

(V_PFD= Power-fail Deselect Voltage):

PMLDIP36 (PL)

Module

– M48Z2M1: 4.5V ≤ V_PFD≤ 4.75V

– M48Z2M1Y: 4.2V ≤ V_PFD≤ 4.50V

BATTERIES ARE INTERNALLY ISOLATED

UNTIL POWER IS APPLIED

PIN and FUNCTION COMPATIBLE with

JEDEC STANDARD 2Mb x 8 SRAMs

Figure 1. Logic Diagram

DESCRIPTION

The M48Z2M1/2M1Y ZEROPOWER^®RAM is a

non-volatile 16,777,216 bit Static RAM organized

as 2,097,152 words by 8 bits. Thedevicecombines

two internal lithium batteries, CMOS SRAMs and a

control circuit in a plastic 36 pin DIP long Module.

The ZEROPOWER RAM replaces industry stand-

ard SRAMs. It provides the nonvolatility of PROMs

without any requirement for special write timing or

limitations on the number of writes that can be

performed.

A0-A20

DQ0-DQ7

M48Z2M1

M48Z2M1Y

Table 1. Signal Names

A0-A20

Address Inputs

Data Inputs / Outputs

Chip Enable

DQ0-DQ7

Output Enable

Write Enable

Supply Voltage

Ground

AI02048

V_CC

V_SS

January 1998

1/12

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...12

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M48Z2M1Y-70PL1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1270Y-70IND	MAXIM	完全替代	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270Y-70	MAXIM	完全替代	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
M48Z2M1V-85PL1	STMICROELECTRONICS	类似代替	5 V or 3.3 V, 16 Mbit (2 Mb x 8) ZEROPOWER? SRAM

与M48Z2M1Y-70PL1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M48Z2M1Y-70PL9	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z2M1Y-851	STMICROELECTRONICS	获取价格	5V or 3.3V, 16 Mbit (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM
M48Z2M1Y-85G	STMICROELECTRONICS	获取价格	5V or 3.3V, 16 Mbit (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM
M48Z2M1Y-85PL1	STMICROELECTRONICS	获取价格	5 V or 3.3 V, 16 Mbit (2 Mb x 8) ZEROPOWER? SRAM
M48Z2M1YPL	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z30	STMICROELECTRONICS	获取价格	CMOS 32K x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z30-100PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	CMOS 32K x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z30-85PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	CMOS 32K x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z30PM	STMICROELECTRONICS	获取价格	CMOS 32K x 8 ZEROPOWER SRAM
M48Z30Y	STMICROELECTRONICS	获取价格	CMOS 32K x 8 ZEROPOWER SRAM

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