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M471B5673GB0-CF8

更新时间： 2023-08-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 1085K
描述
DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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M471B5673GB0-CF8 数据手册

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Rev. 1.1  
Unbuffered SODIMM  
datasheet  
DDR3 SDRAM  
4. x64 DIMM Pin Configurations (Front side/Back Side)  
Pin  
Front  
Pin  
Back  
Pin  
Front  
Pin  
Back  
Pin  
139  
141  
143  
145  
147  
149  
Front  
Pin  
140  
142  
144  
146  
148  
Back  
DQ38  
DQ39  
V
V
V
V
V
1
2
71  
72  
REFDQ  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
3
4
DQ4  
DQ5  
KEY  
DQ34  
DQ35  
SS  
V
5
DQ0  
DQ1  
6
73  
75  
77  
CKE0  
74  
76  
78  
CKE1  
SS  
V
V
V
V
7
8
DQ44  
DQ45  
SS  
DD  
DD  
SS  
3
V
9
10  
DQS0  
DQS0  
NC  
DQ40  
DQ41  
A15  
SS  
3
V
11  
13  
15  
17  
19  
21  
23  
25  
27  
29  
31  
33  
35  
37  
39  
41  
43  
45  
47  
49  
50  
53  
55  
57  
59  
61  
63  
65  
67  
69  
DM0  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
48  
50  
52  
54  
56  
58  
60  
62  
64  
66  
68  
70  
79  
81  
BA2  
80  
82  
150  
152  
154  
156  
158  
160  
162  
164  
166  
168  
170  
172  
174  
176  
178  
180  
182  
184  
186  
188  
190  
192  
194  
196  
198  
200  
202  
204  
A14  
SS  
V
V
V
V
V
151  
153  
155  
157  
159  
161  
163  
165  
167  
169  
171  
173  
175  
177  
179  
181  
183  
185  
187  
189  
191  
193  
195  
197  
199  
201  
203  
DQS5  
DQS5  
SS  
SS  
DD  
DD  
SS  
DQ2  
DQ3  
DQ6  
DQ7  
83  
A12/BC  
A9  
84  
A11  
A7  
DM5  
V
V
85  
86  
SS  
SS  
V
V
V
V
87  
88  
DQ42  
DQ43  
DQ46  
DQ47  
SS  
SS  
DD  
DD  
DQ8  
DQ9  
DQ12  
DQ13  
89  
A8  
A5  
90  
A6  
A4  
V
V
91  
92  
SS  
SS  
V
V
V
V
93  
94  
DQ48  
DQ49  
DQ52  
DQ53  
SS  
SS  
DD  
DD  
DQS1  
DQS1  
DM1  
95  
A3  
A1  
96  
A2  
A0  
V
V
RESET  
97  
98  
SS  
SS  
V
V
V
V
DQS6  
DQS6  
DM6  
99  
100  
102  
104  
106  
108  
110  
112  
114  
116  
118  
120  
122  
124  
126  
128  
130  
132  
134  
136  
138  
SS  
SS  
DD  
DD  
V
DQ10  
DQ11  
DQ14  
DQ15  
101  
103  
105  
107  
109  
111  
113  
115  
117  
119  
CK0  
CK0  
CK1  
CK1  
SS  
V
DQ54  
DQ55  
SS  
V
V
V
V
DQ50  
DQ51  
SS  
SS  
DD  
DD  
V
DQ16  
DQ17  
DQ20  
DQ21  
A10/AP  
BA0  
BA1  
RAS  
SS  
V
DQ60  
DQ61  
SS  
V
V
V
V
DQ56  
DQ57  
SS  
SS  
DD  
DD  
V
DQS2  
DQS2  
DM2  
WE  
S0  
SS  
V
V
CAS  
ODT0  
DQS7  
DQS7  
SS  
SS  
V
V
V
DQ22  
DQ23  
DM7  
SS  
DD  
DD  
3
V
V
DQ18  
DQ19  
ODT1  
NC  
A13  
SS  
SS  
V
121  
123  
125  
127  
129  
131  
133  
135  
137  
S1  
DQ58  
DQ59  
DQ62  
DQ63  
SS  
V
V
V
DQ28  
DQ29  
SS  
DD  
DD  
V
V
V
DQ24  
DQ25  
TEST  
REFCA  
SS  
SS  
V
V
V
SA0  
NC  
SDA  
SCL  
SS  
SS  
SS  
V
V
DQS3  
DQS3  
DQ32  
DQ33  
DQ36  
DQ37  
SS  
DDSPD  
DM3  
SA1  
V
V
V
V
V
V
SS  
SS  
SS  
SS  
TT  
TT  
DQ26  
DQ27  
DQ30  
DQ31  
DQS4  
DQS4  
DM4  
V
SS  
NOTE :  
1. NC = No Connect, NU = Not Used, RFU = Reserved Future Use  
2. TEST(pin 125) is reserved for bus analysis probes and is NC on normal memory modules.  
3. This address might be connected to NC balls of the DRAMs (depending on density); either way they will be connected to the termination resistor.  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
- 5 -  
12345678...37

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M471B5673GB0-CH9 SAMSUNG DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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M471B5673GB0-CK0 SAMSUNG DDR DRAM, 256MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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