Datasheet > 存储 > DRAM> M381L3223DTM-LCC

M381L3223DTM-LCC

更新时间： 2024-01-18 01:11:41

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
22页	355K
描述
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC

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M381L3223DTM-LCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIMM, DIMM184	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N184	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.7 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M381L3223DTM-LCC 数据手册

128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

128MB, 16M x 64 Non ECC Module (M368L1624DTM) (Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)

Functional Block Diagram

CS0

Serial PD

DQS1

DM1

LDQS CS

LDM

LDQS

LDM

DQS5

DM5

SCL

SDA

DQ8

DQ9

I/O 6

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

I/O 6

I/O 4

I/O 1

I/O 3

I/O 2

I/O 0

I/O 4

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

I/O 1

I/O 3

I/O 2

I/O 0

SA0 SA1 SA2

I/O 5

DQ15

I/O 7

UDQS

UDM

I/O 8

I/O 10

I/O 15

I/O 13

I/O 12

I/O 14

I/O 11

I/O 9

I/O 7

UDQS

UDM

I/O 8

I/O 10

I/O 15

I/O 13

I/O 12

I/O 14

I/O 11

I/O 9

DQS0

DM0

DQS4

DM4

V_DDSPD

SPD

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

_DD/V_DDQ

D0 - D3

VREF

V_SS

D0 - D3

DQ7

DQS3

DM3

LDQS

DQS7

DM7

LDQS

LDM

I/O 6

I/O 4

I/O 1

I/O 3

I/O 2

I/O 0

LDM

*Clock Net Wiring

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

I/O 6

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

I/O 4

Cap/D0/*Cap

I/O 1

I/O 3

I/O 2

I/O 0

Cap

I/O 5

R=120Ω

I/O 5

Cap/*Cap/D2

I/O 7

DQS2

DM2

I/O 7

UDQS

UDM

UDQS

DQS6

DM6

UDM

Card

Edge

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

I/O 8

I/O 10

I/O 15

I/O 13

I/O 12

I/O 14

I/O 11

I/O 9

Cap

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

I/O 8

I/O 10

I/O 15

I/O 13

I/O 12

I/O 14

I/O 11

I/O 9

Cap/D1/D3

Cap

*If two DRAMs are loaded,

Cap will replace DRAM3

Notes :

BA0 - BA1

A0 - A12

RAS

BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D3

A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D3

RAS : DDR SDRAMs D0 - D3

CAS : DDR SDRAMs D0 - D3

CKE : DDR SDRAMs D0 - D3

WE : DDR SDRAMs D0 - D3

1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended

but may be changed.

2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be

maintained as shown.

3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.

4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 7.5 Ohms +

Clock Wiring

Clock

SDRAMs

Input

2 SDRAMs

CK0/CK0

CK1/CK1

CK2/CK2

CAS

CKE0

Rev. 1.2 May. 2003

1 2 3 456 7 8...22

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M381L3223DTM-LCC/C4	SAMSUNG	184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC	获取价格
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M381L3223ETM-CB3	SAMSUNG	DDR SDRAM Unbuffered Module	获取价格
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