Datasheet > 存储 > DRAM> M381L3223DTM-LCC

M381L3223DTM-LCC

更新时间： 2024-01-24 12:23:57

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
22页	355K
描述
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC

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M381L3223DTM-LCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIMM, DIMM184	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N184	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.7 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M381L3223DTM-LCC 数据手册

浏览型号M381L3223DTM-LCC的Datasheet PDF文件第10页

128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

256MB, 32M x 72 ECC Module (M381L3223DTM) (Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)

Functional Block Diagram

CS0

DQS0

DM0

DQS4

DM4

I/O 7

CS DQS

DQS

I/O 7

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

Serial PD

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

SCL

SDA

SA0 SA1 SA2

DQS5

DM5

DQS1

DM1

DQS

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

DQ8

DQ9

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

V_DDSPD

SPD

V_DD/V_DDQ

D0 - D8

VREF

V_SS

D0 - D8

DQS6

DM6

DQS2

DM2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

CS DQS

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

CS DQS

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

D3/D0/D6

Cap/Cap/Cap

D4/D1/D7

DQS7

DM7

DQS3

DM3

R=120Ω

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

CS DQS

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

CS DQS

CK0/1/2

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

Card

Edge

Cap/Cap/Cap

D5/D2/D8

Cap/Cap/Cap

DQS8

DM8

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

DQS

CB0

CB1

CB2

CB3

CB4

CB5

CB6

CB7

Notes :

BA0 - BA1

A0 - A12

RAS

BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D8

A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D8

RAS : DDR SDRAMs D0 - D8

CAS : DDR SDRAMs D0 - D8

CKE : DDR SDRAMs D0 - D8

WE : DDR SDRAMs D0 - D8

Clock Wiring

1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended

but may be changed.

2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be

maintained as shown.

3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.

4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +

Clock

Input

SDRAMs

3 SDRAMs

CK0/CK0

CK1/CK1

CK2/CK2

CAS

CKE0

Rev. 1.2 May. 2003

1...4 5 678 9 10...22

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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