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M372E3280BJ0-C60

更新时间： 2024-11-12 20:53:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	501K
描述
EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

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M372E3280BJ0-C60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	50.8 mm	最大待机电流：	0.03 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	1.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M372E320(8)0BJ0-C

Buffered 32Mx72 DIMM

(16Mx4 base)

Revision 0.1

June 1998

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M372E3280CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372E3280CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372F0400CB0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
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M372F0400CW0-60	SAMSUNG	获取价格	Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168
M372F0400CW0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F0400CW0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372F0400CZ0-50	SAMSUNG	获取价格	Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168
M372F0400DW0-50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168