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M36W0R5020B0ZAQT

更新时间： 2024-01-31 21:32:05

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
26页	181K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 4 Mbit SRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package

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M36W0R5020B0ZAQT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数：	88	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W0R5020B0ZAQT 数据手册

M36W0R5020T0

M36W0R5020B0

32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory

and 4 Mbit SRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package

FEATURES SUMMARY

■

MULTI-CHIP PACKAGE

Figure 1. Package

–

1 die of 32 Mbit (2Mb x 16) Flash Memory

1 die of 4 Mbit (256Kb x16) SRAM

■

SUPPLY VOLTAGE

V_DDF= V_DDQ= V_DDS= 1.7 to 1.95V

–

FBGA

■

LOW POWER CONSUMPTION

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Device Code (Top Flash Configuration):

8814h

–

Device Code (Bottom Flash

Configuration): 8815h

Stacked TFBGA88

(ZAQ)

■

PACKAGE

–

Compliant with Lead-Free Soldering

Processes

–

Lead-Free Versions

FLASH MEMORY

■

BLOCK LOCKING

■

PROGRAMMING TIME

–

All blocks locked at Power-up

Any combination of blocks can be locked

WP_Ffor Block Lock-Down

–

8µs by Word typical for Fast Factory

Program

–

Double/Quadruple Word Program option

Enhanced Factory Program options

SECURITY

–

128-bit user programmable OTP cells

64-bit unique device number

■

MEMORY BLOCKS

–

Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit

Banks

■

COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

–

Parameter Blocks (Top or Bottom

location)

SRAM

SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

■

ACCESS TIME: 70ns

LOW V_DDSDATA RETENTION: 1.0V

POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

–

Synchronous Burst Read mode: 66MHz

Asynchronous/ Synchronous Page Read

mode

–

Random Access: 70ns

■

DUAL OPERATIONS

–

Program Erase in one Bank while Read in

others

–

No delay between Read and Write

operations

December 2004

1/26

12 3 4 5 6 7...26

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M36W0R5020T0ZAQT	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 4 Mbit SRAM, 1.8V Supply Multi-Ch
M36W0R5040L4ZAME	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
M36W0R5040L4ZAMF	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
M36W0R5040L4ZSE	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA56
M36W0R5040U4ZAME	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
M36W0R5040U4ZAMF	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT

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