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M36W0R5040L4ZAMF PDF预览

M36W0R5040L4ZAMF

更新时间： 2024-02-21 19:23:09
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 532K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88

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M36W0R5040L4ZAMF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：IT ALSO HAVING 16-MBIT PSRAM
JESD-30 代码：R-PBGA-B88长度：10 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+PSRAM
功能数量：1端子数量：88
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M36W0R5040L4ZAMF 数据手册

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M36W0Rx0x0UL4  
32- or 64-Mbit (mux I/O, multiple bank, multilevel, burst) flash  
memory, 16- or 32-Mbit PSRAM, 1.8 V supply MCP  
Features  
■ Multichip package  
– 1 die of 32 Mbit (2 Mbit x 16) or 64 Mbit  
(4 Mbit x 16) mux I/O multiple bank,  
multilevel, burst) flash memory  
TFBGA88 (ZAM)  
8 x 10 mm  
TFBGA56 (ZS)  
8 x 6 mm  
– 1 die of 16/32 Mbit mux I/O, burst PSRAM  
■ Supply voltage  
– WP for block lock-down  
■ Security  
– V = V  
= 1.7 to 1.95 V  
DD  
DDQ  
– V  
= 9 V for fast programming  
PPF  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 20h  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
– 32 Mbit flash device codes:  
Top - M36W0R5040U4: 8828h  
Bottom - M36W0R5040L4: 8829h  
PSRAM  
■ Asynchronous modes  
– 64 Mbit flash device codes:  
Top - M36W0R6040U4 and  
M36W0R6050U4: 88C0h  
Bottom - M36W0R6040L4 and  
M36W0R6050L4: 88C1h  
– Random read 70 ns access time  
– Asynchronous write  
■ Synchronous mode:  
– NOR flash  
Flash memory  
– Full synchronous (burst read and write)  
■ Synchronous/asynchronous read  
– Synchronous burst read mode: 66 MHz  
– Random access: 70 ns  
■ Burst read/write operations  
– 4-, 8- and 16-word  
– Clock frequency: 83 MHz  
■ Synchronous burst read suspend  
■ Low power consumption  
– Active current: < 20 mA  
– Standby current: 70 µA  
■ Programming time  
– 10 µs by word typical for factory program  
– Double/quadruple word program option  
■ Low power features  
– Partial array self-refresh (PASR)  
– Deep power-down (DPD) mode  
■ Memory blocks  
– Multiple bank memory array: 4 Mbit banks  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
– Automatic temperature-compensated self-  
Refresh (ATSR)  
■ Dual operations  
– Program erase in 1 bank, read in others  
– No delay between read and write  
Table 1.  
Device summary  
M36W0Rx0x0UL4  
■ Common flash interface (CFI)  
M36W0R5040U4  
M36W0R6040U4  
M36W0R6050U4  
M36W0R5040L4  
M36W0R6040L4  
M36W0R6050L4  
■ Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
July 2008  
Rev 6  
1/28  
www.numonyx.com  
1
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