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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W0R6030B0
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M36W0R6030B0

更新时间： 2024-02-13 20:04:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存静态存储器
页数 文件大小 规格书
26页 451K
描述
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package

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M36W0R6030B0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数：88Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+SRAM
功能数量：1端子数量：88
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W0R6030B0 数据手册

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M36W0R6030T0  
M36W0R6030B0  
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory  
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package  
FEATURES SUMMARY  
■
MULTI-CHIP PACKAGE  
Figure 1. Package  
–
–
1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory  
1 die of 8 Mbit SRAM  
■
SUPPLY VOLTAGE  
VDDF = VDDQ = VDDS = 1.7 to 1.95V  
–
FBGA  
■
■
LOW POWER CONSUMPTION  
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code (Top Flash Configuration):  
8810h  
–
Device Code (Bottom Flash  
Configuration): 8811h  
Stacked TFBGA88  
(ZAQ)  
■
PACKAGE  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
–
Lead-Free Versions  
FLASH MEMORY  
■
■
BLOCK LOCKING  
■
PROGRAMMING TIME  
–
–
–
All blocks locked at Power-up  
Any combination of blocks can be locked  
WPF for Block Lock-Down  
–
8µs by Word typical for Fast Factory  
Program  
–
–
Double/Quadruple Word Program option  
Enhanced Factory Program options  
SECURITY  
–
–
128-bit user programmable OTP cells  
64-bit unique device number  
■
■
MEMORY BLOCKS  
–
Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit  
Banks  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
–
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
SRAM  
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
■
■
■
■
8 Mbit (512Kb x 16 bit)  
ACCESS TIME: 70ns  
LOW VDDS DATA RETENTION: 1.0V  
POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
–
–
Synchronous Burst Read mode: 66MHz  
Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
–
Random Access: 70ns  
■
DUAL OPERATIONS  
–
Program Erase in one Bank while Read in  
others  
–
No delay between Read and Write  
operations  
December 2004  
1/26  
1234567...26

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与M36W0R6030B0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W0R6030B0ZAQ STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Ch
M36W0R6030B0ZAQE STMICROELECTRONICS

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