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M366S1654CTS-C1L PDF预览

M366S1654CTS-C1L

更新时间： 2024-11-09 04:18:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
11页 163K
描述
16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

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M366S1654CTS-C1L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM168
针数：168Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.32
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：64湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.008 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.76 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

M366S1654CTS-C1L 数据手册

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PC133/PC100 Unbuffered DIMM  
M366S1654CTS  
M366S1654CTS SDRAM DIMM  
16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURE  
• Performance range  
The Samsung M366S1654CTS is a 8M bit x 64 Synchronous  
Dynamic RAM high density memory module. The Samsung  
M366S1654CTS consists of four CMOS 8M x 16 bit with 4banks  
Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K  
EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy  
substrate.Three 0.1uF decoupling capacitors are mounted on  
the printed circuit board in parallel for each SDRAM.  
Part No.  
Max Freq. (Speed)  
133MHz (7.5ns@CL=2)  
133MHz (7.5ns@CL=3)  
100MHz (6.0ns@CL=2)  
100MHz (6.0ns@CL=3)  
M366S1654CTS-L7C/C7C  
M366S1654CTS-L7A/C7A  
M366S1654CTS-L1H/C1H  
M366S1654CTS-L1L/C1L  
•
Burst mode operation  
The M366S1654CTS is a Dual In-line Memory Module and is  
intended for mounting into 168-pin edge connector sockets.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of  
system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable latencies allows  
the same device to be useful for a variety of high bandwidth,  
high performance memory system applications.  
• Auto & self refresh capability (8192 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ± 0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
Latency (Access from column address)  
Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
• Serial presence detect with EEPROM  
• PCB : Height (1,000mil) , single sided component  
PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)  
PIN NAMES  
Pin  
Pin Front Pin Front  
Front Pin Back Pin Back Pin Back  
Pin Name  
A0 ~ A11  
Function  
Address input (Multiplexed)  
Select bank  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VSS  
29 DQM1  
DQ18 85  
DQ19 86 DQ32 114 *CS1 142 DQ51  
87 DQ33 115 RAS 143 VDD  
DQ20 88 DQ34 116 VSS 144 DQ52  
VSS 113 DQM5 141 DQ50  
BA0 ~ BA1  
DQ0 30  
DQ1 31  
DQ2 32  
DQ3 33  
CS0  
DU  
VSS  
A0  
DQ0 ~ DQ63 Data input/output  
VDD  
CLK0, CLK2  
CKE0  
CS0, CS2  
RAS  
Clock input  
NC  
*VREF 90  
*CKE1 91 DQ36 119  
92 DQ37 120  
DQ21 93 DQ38 121  
89 DQ35 117  
A1  
A3  
A5  
A7  
A9  
145 NC  
146 *VREF  
147 NC  
148 VSS  
149 DQ53  
Clock enable input  
Chip select input  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
VDD  
34  
A2  
VDD 118  
DQ4 35  
DQ5 36  
DQ6 37  
A4  
A6  
A8  
VSS  
CAS  
10 DQ7 38 A10/AP  
DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54  
DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55  
WE  
11 DQ8 39  
12 40  
13 DQ9 41  
BA1  
VDD  
VDD  
DQM0 ~ 7  
VDD  
DQM  
VSS  
VSS  
96  
VSS 124 VDD 152 VSS  
DQ24 97 DQ41 125 *CLK1 153 DQ56  
DQ25 98 DQ42 126 A12 154 DQ57  
Power supply (3.3V)  
Ground  
14 DQ10 42 CLK0  
VSS  
15 DQ11 43  
16 DQ12 44  
17 DQ13 45  
VSS  
NC  
CS2  
71 DQ26 99 DQ43 127 VSS 155 DQ58  
*VREF  
SDA  
Power supply for reference  
Serial data I/O  
Serial clock  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59  
VDD 101 DQ45 129 *CS3 157 VDD  
DQ28 102 VDD 130 DQM6 158 DQ60  
DQ29 103 DQ46 131 DQM7 159 DQ61  
DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62  
DQ31 105 *CB4 133 VDD 161 DQ63  
VSS 106 *CB5 134 NC 162 VSS  
CLK2 107 VSS 135 NC 163 *CLK3  
NC 108 NC 136 *CB6 164 NC  
*WP 109 NC 137 *CB7 165 **SA0  
**SDA 110 VDD 138 VSS 166 **SA1  
18  
VDD  
46 DQM2  
SCL  
19 DQ14 47 DQM3  
SA0 ~ 2  
*WP  
Address in EEPROM  
Write protection  
Don¢t use  
20 DQ15 48  
21 *CB0 49  
22 *CB1 50  
NC  
VDD  
NC  
NC  
DU  
23  
24  
25  
26  
27  
VSS  
NC  
NC  
VDD  
WE  
51  
NC  
No connection  
52 *CB2  
53 *CB3  
54  
*
These pins are not used in this module.  
** These pins should be NC in the system  
VSS  
55 DQ16 83 **SCL 111 CAS 139 DQ48 167 **SA2  
84  
which does not support SPD.  
28 DQM0 56 DQ17  
VDD 112 DQM4 140 DQ49 168 VDD  
* SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
Rev. 0.1 Sept. 2001  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M366S1654CTS-C7A SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
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 		Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S1654ETS-C7A SAMSUNG

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 		SDRAM Unbuffered Module
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 		SDRAM Product Guide

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