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M29W800B90M1R

更新时间： 2024-11-16 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
33页 233K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W800B90M1R 数据手册

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M29W800T  
M29W800B  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29W800T and M29W800B are replaced  
respectively by the M29W800AT and  
M29W800AB  
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGEfor  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 90ns  
44  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte / 20µs by Word typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
Figure 1. Logic Diagram  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
19  
15  
A0-A18  
DQ0-DQ14  
– ManufacturerCode: 0020h  
– Device Code, M29W800T: 00D7h  
– Device Code, M29W800B: 005Bh  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29W800T  
M29W800B  
G
DESCRIPTION  
RP  
The M29W800 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-  
by-Wordbasisusing onlya single2.7V to3.6V VCC  
supply. For Program and Erase operations the  
necessary high voltages are generated internally.  
The device can also be programmed in standard  
programmers.  
V
SS  
AI02178  
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
June 1999  
1/33  
This is informationon a product still in productionbut not recommended for new designs.  
1234567...33

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与M29W800B90M1R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800B-90M1R STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800B90M1TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B-90M1TR STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800B-90M5 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC
M29W800B90M5R STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B90M5TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B90M6R STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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 		1MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
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