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M29W800B-100M5

更新时间： 2023-01-02 18:49:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
34页	1940K
描述
1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO44, SO-44

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M29W800B-100M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.64	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	16
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	28.2 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.62 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

M29W800B-100M5 数据手册

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M29W800B-100M5TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800B100M6R	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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