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M29W640GB60NB6F

更新时间： 2024-11-19 20:12:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器ISM频段光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
90页 850K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 60ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56

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M29W640GB60NB6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.54最长访问时间：60 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3/e6长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M29W640GB60NB6F 数据手册

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M29W640GH M29W640GL  
M29W640GT M29W640GB  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page)  
3V supply Flash memory  
Feature  
FBGA  
■ Supply Voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program/Erase/Read  
CC  
– V =12 V for Fast Program (optional)  
PP  
TSOP48 (NA)  
12 x 20mm  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8mm  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 4 words  
– Page Access: 25 ns  
FBGA  
– Random Access: 60 ns, 70 ns, 90 ns  
■ Fast Program commands  
– 2 word/4 byte Program (without V =12 V)  
PP  
TBGA64 (ZF)  
10 x 13mm(1)  
TSOP56 (NB)  
– 4 word/8 byte Program (with V =12 V)  
)
PP  
14 x 20mm(1  
– 16 word/32 byte Write Buffer  
1. Packages only available upon request.  
■ Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
– Chip Program time: 10 s (4-word Program)  
■ 128 word Extended Memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Memory organization  
– M29W640GH/L:  
■ Low power consumption:Standby and  
128 main blocks, 64 Kbytes each  
Automatic Standby  
– M29W640GT/B  
■ Unlock Bypass Program command  
Eight 8 Kbytes Boot blocks (top or bottom)  
127 Main blocks, 64 Kbytes each  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Program/Erase controller  
■ Common Flash Interface: 64-bit Security Code  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Electronic Signature  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device code (see Table 1)  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root Part Number  
Device code  
M29W640GH: Uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W640GL: Uniform, first block protected by VPP/WP  
M29W640GT: Top Boot Blocks  
227Eh + 220Ch + 2201h  
227Eh + 220Ch + 2200h  
227Eh + 2210h + 2201h  
227Eh + 2210h + 2200h  
M29W640GB: Bottom Boot Blocks  
February 2007  
Rev 4  
1/90  
www.st.com  
1
1234567...90

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与M29W640GB60NB6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W640GB60ZA6E NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB60ZA6E MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB60ZA6F NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70N3E MICRON

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M29W640GB70N3F MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
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