5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> M29W640GB70ZA6F
M29W640GB70ZA6F PDF预览

M29W640GB70ZA6F

更新时间： 2024-11-19 05:11:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存
页数 文件大小 规格书
90页 1676K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

M29W640GB70ZA6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.31最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48长度：8 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：6 mm

M29W640GB70ZA6F 数据手册

 浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W640GB70ZA6F的Datasheet PDF文件第7页 
M29W640GH M29W640GL  
M29W640GT M29W640GB  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page)  
3V supply Flash memory  
Feature  
FBGA  
■ Supply Voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program/Erase/Read  
CC  
– V =12 V for Fast Program (optional)  
PP  
TSOP48 (NA)  
12 x 20mm  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8mm  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 4 words  
– Page Access: 25 ns  
– Random Access: 60 ns, 70 ns, 90 ns  
FBGA  
■ Fast Program commands  
– 2 word/4 byte Program (without V =12 V)  
PP  
TBGA64 (ZF)  
10 x 13mm(1)  
TSOP56 (NB)  
– 4 word/8 byte Program (with V =12 V)  
)
PP  
14 x 20mm(1  
– 16 word/32 byte Write Buffer  
1. Packages only available upon request.  
■ Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
– Chip Program time: 10 s (4-word Program)  
■ 128 word Extended Memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Memory organization  
– M29W640GH/L:  
■ Low power consumption:Standby and  
128 main blocks, 64 Kbytes each  
Automatic Standby  
– M29W640GT/B  
■ Unlock Bypass Program command  
Eight 8 Kbytes Boot blocks (top or bottom)  
127 Main blocks, 64 Kbytes each  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Program/Erase controller  
■ Common Flash Interface: 64-bit Security Code  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
– Read from any block during Program  
Suspend  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
■ Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device code (see Table 1)  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root Part Number  
Device code  
M29W640GH: Uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W640GL: Uniform, first block protected by VPP/WP  
M29W640GT: Top Boot Blocks  
227Eh + 220Ch + 2201h  
227Eh + 220Ch + 2200h  
227Eh + 2210h + 2201h  
227Eh + 2210h + 2200h  
M29W640GB: Bottom Boot Blocks  
March 2008  
Rev 5  
1/90  
www.numonyx.com  
1
1234567...90

中文翻译

下载PDF

与M29W640GB70ZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W640GB70ZF3F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZF6E NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB70ZF6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W640GB70ZF6E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZF6F NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB70ZS6E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZS6F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB7AN6E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB90NA6E NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB90NA6E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W640GB70ZA6F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证