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M29W640GB70ZA6E

更新时间： 2024-10-03 15:17:27

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
74页	966K
描述
64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W640GB70ZA6E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	8.15
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,127	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

M29W640GB70ZA6E 数据手册

64Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash

Features

Parallel NOR Flash Embedded Memory

M29W640GH, M29W640GL

M29W640GT, M29W640GB

• Common Flash interface

– 64-bit security code

Features

• Supply voltage

– V_CC= 2.7–3.6V (program, erase, read)

– V_PP= 12V for fast program (optional)

• Asynchronous random/page read

– Page width: 4 words

– Page access: 25ns

– Random access: 60ns, 70ns, 90ns

• Fast program commands

• 128-word extended memory block

– Extra block used as security block or to store ad-

ditional information

• Low power consumption: Standby and automatic

mode

• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block

• Electronic signature

– Manufacturer code: 0020h

– 2-word/4-byte program (without V_PP= 12V)

– 4-word/8-byte program (with V_PP= 12V)

– 16-word/32-byte write buffer

• Programming time

• Device summary: part number and device code

– M29W640GH: uniform, last block protected by

V_PP/WP#

– 227Eh + 220Ch + 2201h

– M29W640GL: uniform, first block protected by

V_PP/WP#

– 227Eh + 220Ch + 2200h

– M29W640GT: top boot block

– 227Eh + 2210h + 2201h

– M29W640GB: bottom boot block

– 227Eh + 2210h + 2200h

• RoHS-compliant packages

– 10µs per byte/word TYP

– Chip program time: 10 s (4-word program)

– Double word/quadruple byte program

• Memory organization

– M29W640GH/L 128 main blocks, 64KB each

– M29W640GT/B 127 main blocks, 64KB each and

8 boot blocks, 8KB each

• Program/erase controller

– Embedded byte/word program algorithms

• Program/erase suspend and resume

– Read from any block during a PROGRAM SUS-

PEND operation

– Read or program another block during an ERASE

SUSPEND operation

– 48-pin TSOP (N/NA) 12mm x 20mm

– 56-pin TSOP (NB) 14mm x 20mm

– 48-ball TFBGA (ZA) 6mm x 8mm

– 64-ball FBGA (ZS) 11mm x 13mm

– 64-ball TBGA (ZF) 10mm x 13mm

• Automotive certified parts available

• Hardware block protection

– V_PP/WP# pin for fast program and write protect

– Temporary block unprotect mode

Part Numbering Information

Available with extended memory block prelocked by Micron. Devices are shipped from the factory with memory

content bits erased to 1. For available options, such as packages or speed, or for further information, contact your

Micron sales representative. Part numbers can be verified at www.micron.com. Feature and specification compari-

son by device type is available at www.micron.com/products. Contact the factory for devices not found.

Table 1: Part Number Information

Part Number

M29W640GB70ZA6E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M29W640GB60ZA6E	MICRON	类似代替	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W640GB70ZA6E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W640GB70ZA6EP	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZA6F	NUMONYX	获取价格	64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB70ZA6F	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZF3F	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZF6E	NUMONYX	获取价格	64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB70ZF6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W640GB70ZF6E	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZF6F	NUMONYX	获取价格	64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GB70ZS6E	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GB70ZS6F	MICRON	获取价格	64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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