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M29F800DT70N1

更新时间: 2024-11-04 19:56:35
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
53页 323K
描述
512KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M29F800DT70N1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.45最长访问时间:70 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00015 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

M29F800DT70N1 数据手册

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M29F800DT  
M29F800DB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
5V Supply Flash Memory  
Feature summary  
Supply voltage  
– V = 5V ±10% for Program, Erase and  
CC  
Read  
Access time: 55, 70, 90ns  
Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
19 Memory Blocks  
– 1 Boot Block (Top or Bottom location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
SO44 (M)  
Program/Erase controller  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
Erase Suspend and Resume modes  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/batch Programming  
Temporary Block Unprotection mode  
Common Flash Interface  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
– 64 bit Security Code  
Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
100,000 Program/Erase cycles per Block  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 0020h  
Top Device Code M29F800DT: 22ECh  
– Bottom Device Code M29F800DB: 2258h  
August 2006  
Rev 5  
1/53  
www.st.com  
1

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