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M29F200T-120XN1R

更新时间: 2024-11-29 14:26:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP-48

M29F200T-120XN1R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, REVERSE, TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.23
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
备用内存宽度:16启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PDSO-G48长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29F200T-120XN1R 数据手册

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