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M29F200T-150N3TR

更新时间: 2024-11-29 15:42:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 763K
描述
Flash, 256KX8, 150ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M29F200T-150N3TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.15
最长访问时间:150 ns备用内存宽度:16
启动块:TOPJESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

M29F200T-150N3TR 数据手册

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