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M29F200T-150N3RTR

更新时间: 2024-01-14 18:40:38
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 763K
描述
Flash, 256KX8, 150ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48

M29F200T-150N3RTR 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.15
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
备用内存宽度:16启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PDSO-G48长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

M29F200T-150N3RTR 数据手册

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