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M29DW640F70N6E PDF预览

M29DW640F70N6E

更新时间： 2024-11-23 20:21:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
74页 448K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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M29DW640F70N6E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.65Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3/e6长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：16,126端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29DW640F70N6E 数据手册

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M29DW640F  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Asynchronous Page Read mode  
– Page Width 8 Words  
– Page Access 25, 30ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
– Random Access 60, 70ns  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words / 8 Bytes at-a-time Program  
FBGA  
■ Memory blocks  
– Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
– Parameter Blocks (at both Top and Bottom)  
■ Dual operations  
– While Program or Erase in a group of  
banks (from 1 to 3), Read in any of the  
other banks  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code: 227Eh + 2202h + 2201  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
®
■ ECOPACK packages available  
■ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ Extended Memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
August 2006  
Rev 3  
1/74  
www.st.com  
1
1234567...74

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M29DW640F70N6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBM29DL64DF70TN SPANSION

功能相似

 Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
S29JL064H70TFI003 SPANSION

功能相似

 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me

与M29DW640F70N6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW640F70N6F NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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M29DW640F70ZE1E STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
M29DW640F70ZE1F NUMONYX

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
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