M29DW640F70ZE1E

更新时间： 2024-11-23 05:01:03

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
74页	1481K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29DW640F70ZE1E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M29DW640F70ZE1E 数据手册

M29DW640F

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

Feature summary

■ Supply voltage

– V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V_PP=12V for Fast Program (optional)

■ Asynchronous Page Read mode

– Page Width 8 Words

– Page Access 25, 30ns

– Random Access 60, 70ns

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ Programming time

– 10µs per Byte/Word typical

– 4 Words / 8 Bytes at-a-time Program

FBGA

■ Memory blocks

– Quadruple Bank Memory Array:

8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit

TFBGA48 (ZE)

6 x 8 mm

– Parameter Blocks (at both Top and Bottom)

■ Dual operations

– While Program or Erase in a group of

banks (from 1 to 3), Read in any of the

other banks

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ Program/Erase Suspend and Resume

■ Electronic Signature

– Read from any Block during Program

Suspend

– Manufacturer Code: 0020h

– Device Code: 227Eh + 2202h + 2201

■ ECOPACK^®packages available

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ Unlock Bypass Program command

– Faster Production/Batch Programming

■ V_PP/WP pin for Fast Program and Write Protect

■ Temporary Block Unprotection mode

■ Common Flash Interface

– 64 bit Security Code

■ Extended Memory Block

– Extra block used as security block or to

store additional information

December 2007

Rev 4

1/74

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...74

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