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M28F220-100M3

更新时间: 2024-11-10 06:17:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 2803K
描述
M28F220-100M3

M28F220-100M3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:100 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:NO耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:1,2,1,1
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
部门规模:16K,8K,96K,128K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

M28F220-100M3 数据手册

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