Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27V401-120B6TR

M27V401-120B6TR

更新时间： 2024-10-27 22:55:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
15页	105K
描述
4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M27V401-120B6TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	长度：	41.91 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27V401-120B6TR 数据手册

M27V401

4 Mbit (512Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ LOW VOLTAGE READ OPERATION:

3V to 3.6V

■ FAST ACCESS TIME: 120ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 15mA at 5MHz

– Standby Current 20µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/byte (typical)

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

FDIP32W (F)

PDIP32 (B)

– Device Code: 41h

DESCRIPTION

The M27V401 is a low voltage 4 Mbit EPROM of-

fered in the two range UV (ultra violet erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large data or

program storage and is organised as 524,288 by 8

bits.

PLCC32 (K)

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

Figure 1. Logic Diagram

The M27V401 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 3V. The decrease in op-

erating power allows either a reduction of the size

of the battery or an increase in the time between

battery recharges.

The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allow the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

A0-A18

Q0-Q7

Table 1. Signal Names

M27V401

A0-A18

Q0-Q7

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Program Supply

Supply Voltage

Ground

AI00695B

May 1998

1/15

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与M27V401-120B6TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27V401-120F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V401-120F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V401-120K1	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27V401-120K1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V401-120K6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27V401-120K6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V401-120L1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
M27V401-120N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 OTPROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27V401-120N1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V401-120N6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

与M27V401-120B6TR相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

13
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27V401-120B6TR

M27V401-120B6TR 技术参数

M27V401-120B6TR 数据手册

与M27V401-120B6TR相关器件

与M27V401-120B6TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27V401-120B6TR

M27V401-120B6TR 技术参数

M27V401-120B6TR 数据手册

与M27V401-120B6TR相关器件

与M27V401-120B6TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？