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M27C801-200F6

更新时间： 2024-10-26 14:52:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	407K
描述
1MX8 UVPROM, 200ns, CDIP32, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32

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M27C801-200F6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.82
最长访问时间：	200 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T32	JESD-609代码：	e3
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	WDIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE, WINDOW	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.71 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27C801-200K6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27C801-200N6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27C801-45B1	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-32
M27C801-45B1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45B1X	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45B6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45B6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45F1X	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C801-45F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 UVPROM, 45ns, CDIP32, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32