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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C512-60B3
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M27C512-60B3

更新时间： 2024-11-05 23:08:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 399K
描述
512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C512-60B3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.89最长访问时间：60 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：36.83 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M27C512-60B3 数据手册

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M27C512  
512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
■
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ  
OPERATION  
Figure 1. Packages  
■
■
ACCESS TIME: 45ns  
LOW POWER “CMOS” CONSUMPTION:  
–
–
Active Current 30mA  
Standby Current 100µA  
28  
■
■
■
PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V  
PROGRAMMING TIMES of AROUND 6sec.  
ELECTRONIC SIGNATURE  
1
FDIP28W (F)  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
■
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
–
28  
1
PDIP28 (B)  
PLCC32 (C)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
1/22  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27C512-60B3E STMICROELECTRONICS

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 		512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
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