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M27C322-80B1

更新时间: 2024-11-02 04:43:31
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 197K
描述
32 Mbit (2Mb x16) UV EPROM and OTP EPROM

M27C322-80B1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP42,.6
针数:42Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T42JESD-609代码:e3
长度:52.455 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:42
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP42,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M27C322-80B1 数据手册

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M27C322  
32 Mbit (2Mb x16) UV EPROM and OTP EPROM  
Feature summary  
5V ± 10% supply voltage in read operation  
Access time: 80ns  
Word-wide configurable  
32 Mbit mask ROM replacement  
42  
Low power consumption  
– Active current 50mA at 5MHz  
– Standby Current 100µA  
1
FDIP42W (F)  
Programming voltage: 12V ± 0.25V  
Programming time: 50µs/word  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code: 0034h  
42  
ECOPACK® packages available  
1
PDIP42 (B)  
42  
1
SDIP42 (S)  
March 2006  
Rev 3  
1/24  
www.st.com  
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