Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C2001-12C1X

M27C2001-12C1X

更新时间： 2024-11-05 23:10:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
17页	116K
描述
2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M27C2001-12C1X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.6	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

M27C2001-12C1X 数据手册

M27C2001

2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

■ 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ

OPERATION

■ ACCESS TIME: 55ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 30mA at 5MHz

– Standby Current 100µA

FDIP32W (F)

PDIP32 (B)

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 61h

LCCC32W (L)

DESCRIPTION

The M27C2001 is a high speed 2 Mbit EPROM of-

fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large pro-

grams and is organised as 262,144 by 8 bits.

PLCC32 (C)

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)

and LCCC32W (leadless chip carrier package)

have a transparent lids which allow the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

Figure 1. Logic Diagram

For applications where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27C2001 is offered in PDIP32, PLCC32 and

TSOP32 (8 x 20 mm) packages.

A0-A17

Q0-Q7

M27C2001

AI00716B

November 2000

1/17

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

M27C2001-12C1X 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M27C2001-12XC6X	STMICROELECTRONICS	功能相似	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-12C6X	STMICROELECTRONICS	功能相似	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM

与M27C2001-12C1X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27C2001-12C1XTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,256KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27C2001-12C6	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
M27C2001-12C6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-12C6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-12C6XTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,256KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27C2001-12F1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M27C2001-12F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-12F1X	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-12F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M27C2001-12F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM

与M27C2001-12C1X相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27C2001-12C1X

M27C2001-12C1X 技术参数

M27C2001-12C1X 数据手册

M27C2001-12C1X 替代型号

与M27C2001-12C1X相关器件

与M27C2001-12C1X相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27C2001-12C1X

M27C2001-12C1X 技术参数

M27C2001-12C1X 数据手册

M27C2001-12C1X 替代型号

与M27C2001-12C1X相关器件

与M27C2001-12C1X相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？