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M27C2001-12F6

更新时间: 2024-11-29 04:51:07
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 235K
描述
256KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32

M27C2001-12F6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.61
风险等级:5.8最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:41.885 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.72 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:EPROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M27C2001-12F6 数据手册

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M27C2001  
2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5V ± 10% supply voltage in Read operation  
Access time: 55ns  
32  
32  
1
1
Low power consumption:  
– Active Current 30mA at 5MHz  
– Standby Current 100µA  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
Programming voltage: 12.75V ± 0.25V  
Programming time: 100µs/word  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 61h  
PLCC32 (C)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
Packages  
®
– ECOPACK packages available.  
May 2006  
Rev 4  
1/25  
www.st.com  
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