Datasheet > 存储 > EPROM> M27C160-120F1

M27C160-120F1

更新时间： 2024-10-27 00:01:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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描述
16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 UV EPROM and OTP EPROM

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M27C160-120F1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-42
针数：	42	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T42	JESD-609代码：	e3
长度：	54.635 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	42
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP42,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.71 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27C160-120F1 数据手册

M27C160

16 Mbit (2Mb x 8 or 1Mb x 16) UV EPROM and OTP EPROM

■ 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ

OPERATION

■ ACCESS TIME: 50ns

■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE

CONFIGURABLE

■ 16 Mbit MASK ROM REPLACEMENT

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Active Current 70mA at 8MHz

– Standby Current 100µA

FDIP42W (F)

PDIP42 (B)

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

SDIP42 (S)

– Device Code: B1h

DESCRIPTION

The M27C160 is a 16 Mbit EPROM offered in the

two ranges UV (ultra violet erase) and OTP (one

time programmable). It is ideally suited for micro-

processor systems requiring large data or program

storage and is organised as either 2 Mbit words of

8 bit or 1 Mbit words of 16 bit. The pin-out is com-

patible with a 16 Mbit Mask ROM.

PLCC44 (K)

SO44 (M)

The FDIP42W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written rapidly to

the device by following the programming proce-

dure.

Figure 1. Logic Diagram

Q15A–1

For applications where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27C160 is offered in PDIP42, SDIP42, PLCC44

and SO44 packages.

A0-A19

Q0-Q14

M27C160

BYTEV

AI00739B

January 2002

1/19

12 3 4 5 6 7...20

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