是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.59 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 300 ns | 其他特性: | 21V PROGRAMMING VOLTAGE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 21 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.715 mm | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
M2732A-3F6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
NTE2532 | NTE |
功能相似 |
Integrated Circuit NMOS, 32K EPROM, 300ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M2732A-3F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-45 | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM | |
M2732A-45F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4KX8 UVPROM, 450ns, CDIP24, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-24 | |
M2732A-4F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-4F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732AF1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732AF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2736-10.00M | CTS |
获取价格 |
Oscillator, 10MHz Min, 210MHz Max, 10MHz Nom, Hybrid, | |
M2736-10.00MG | CTS |
获取价格 |
Oscillator, 10MHz Min, 210MHz Max, 10MHz Nom, Hybrid, | |
M2736-10M | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |