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M25PX80-VMP6TG

更新时间： 2024-01-05 01:37:30

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	775K
描述
M25PX80 NOR Serial Flash Embedded Memory

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M25PX80-VMP6TG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	HVSON, SOLCC8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
最大时钟频率 (fCLK)：	75 MHz	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
长度：	6 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	5 mm
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

M25PX80-VMP6TG 数据手册

M25PX80 Serial Flash Embedded Memory

Features

M25PX80 NOR Serial Flash Embedded

Memory

8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial Flash Memory

with 75 MHz SPI Bus Interface

• Write protections

– Software write protection: applicable to every

Features

• SPI bus compatible serial interface

• 75 MHz (maximum) clock frequency

• 2.3V to 3.6V single supply voltage

• Dual input/output instructions resulting in an

equivalent clock frequency of 150MHz

– Dual output fast read instruction

– Dual input fast program instruction

• 8Mb flash memory

– Uniform 4KB subsectors

– Uniform 64KB sectors

• Additional 64-byte user-lockable, one-time pro-

grammable (OTP) area

• Erase capability

64KB sector (volatile lock bit)

– Hardware write protection: protected area size

defined by non-volatile bits BP0, BP1, BP2

• Deep power down: 5µA (TYP)

• Electronic signature

– JEDEC standard 2-byte signature (7114h)

– Unique ID code (UID) with 16-byte read-only

space, available upon request

• More than 100,000 write cycles per sector

• More than 20 years data retention

• Packages (RoHS compliant)

– VFQFPN8 (MP) 6mm x 5mm

– SO8W (MW) 208mils

– SO8N (MN) 150mils

• Automotive grade parts available

– Subsector (4KB granularity)

– Sector (64KB granularity)

– Bulk erase (8Mb) in 8 s (TYP)

PDF: 09005aef8456659e

m25px80.pdf - Rev. C 1/14 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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与M25PX80-VMP6TG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M25PX80VMP6TP	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX8, PDSO8
M25PX80-VMP6TP	NUMONYX	获取价格	EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, VFQFP-8
M25PX80-VMS6G	MICRON	获取价格	8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripher
M25PX80-VMS6TG	MICRON	获取价格	8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripher
M25PX80-VMW6G	NUMONYX	获取价格	EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
M25PX80-VMW6G	MICRON	获取价格	8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripher
M25PX80VMW6P	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX8, PDSO8
M25PX80-VMW6P	NUMONYX	获取价格	EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
M25PX80-VMW6TG	MICRON	获取价格	M25PX80 NOR Serial Flash Embedded Memory
M25PX80VMW6TP	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX8, PDSO8

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