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LY6164JL-12

更新时间： 2024-11-12 19:40:59

品牌	Logo	应用领域
台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	228K
描述
SRAM,

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技术参数
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LY6164JL-12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOJ,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
长度：	18.03 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

LY6164JL-12 数据手册

LY6164

8K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

Rev. 1.4

REVISION HISTORY

Revision

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Description

Initial Issue

Revised STSOP Package Outline Dimension

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

Issue Date

Aug.3.2005

Mar.26.2008

Apr.17.2009

FEATURES ORDERING INFORMATION

Revised

Lead free and green package available to Green package available

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Rev. 1.3

Rev. 1.4

May.7.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 10

ORDERING INFORMATION

in page 11

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

in page 9

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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