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LSIC1MO170E0750

更新时间： 2023-12-06 20:13:17

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
10页	535K
描述
Littelfuse 1700V, 750mOhm碳化硅 (SiC) MOSFET兼具碳化硅快速切换和节能性能与1700V电压范围，专注于辅助电源。 MOSFET提供3种分立封装，最近增加了TO-

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LSIC1MO170E0750 数据手册

LSIC1MO170E0750

Silicon Carbide MOSFET Datasheet

Figure 13. Typical On-resistance vs. Junction Temperature

Figure 14. Typical Threshold Voltage

1800

1600

1400

4.5

3.5

1200

16 V

1000

2.5

18 V

800

600

400

200

20 V

1.5

Conditions:

I_D= 2 A

V_GStraces labeled

0.5

(I_D= 1 m A, V_DS= V_GS

)

-50

-25

100 125 150 175

-75 -50 -25 25 50 75 100 125 150 175 200

J unction Tem perature, T_J(°C)

Figure 15. Typical Junction Capacitances up to 1000 V

Figure 16. Typical Junction Capacitances up to 200 V

1000

C_ISS

100

C_OSS

C_RSS

(f = 1 MHz)

200

400

600

800

1000

100

150

200

Drain-Source Voltage, V_DS(V)

Figure 17. Typical C_OSSStored Energy E_OSS

Figure 18. Typical Gate Charge

(V_DD= 1200 V, I_D= 2 A)

-5

200

400

600

800

1000

Drain-Source Voltage, V_DS(V)

Gate Charge, Q_G(nC)

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 12/14/2020

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