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LSIC1MO170E0750

更新时间： 2023-12-06 20:13:17
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
10页 535K
描述
Littelfuse 1700V, 750mOhm碳化硅 (SiC) MOSFET兼具碳化硅快速切换和节能性能与1700V电压范围，专注于辅助电源。 MOSFET提供3种分立封装，最近增加了TO-

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LSIC1MO170E0750  
Silicon Carbide MOSFET Datasheet  
Figure 7. Typical Reverse Conduction Characteristics (TJ = 175 °C)  
Figure 8. Typical Reverse Conduction Characteristics (TJ = -55 °C)  
Reverse Voltage, VSD (V)  
Reverse Voltage, VSD (V)  
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
0.5  
1
0.5  
1
1.5  
2
1.5  
2
-5 V 0 V  
-5 V 0 V  
5 V  
10 V 15 V  
VGS = 20 V  
15 V  
10 V  
5 V  
2.5  
3
2.5  
3
VGS = 20 V  
3.5  
4
3.5  
4
4.5  
5
4.5  
5
Figure 9. Transient Thermal Impedance  
Figure 10. Maximum Safe Operating Area (TC = 25 °C)  
10  
Duty = 0.5  
1E+0  
0.3  
Pulse  
10 µs  
0.1  
1
0.05  
1E-1  
100 µs  
0.02  
0.01  
1 ms  
0.1  
1E-2  
Single Pulse  
100 ms  
(Single Pulse)  
1E-3  
0.01  
1E-06  
1E-05  
1E-04  
1E-03  
1E-02  
1E-01  
1E+00  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Pulse Width (s)  
Drain-Source Voltage, VDS (V)  
Figure 11. Typical On-resistance vs. Drain Current  
Figure 12. Normalized On-resistance vs. Junction Temperature  
3500  
3000  
2.5  
2
1.5  
1
2500  
TJ = 175 °C  
2000  
-55 °C  
1500  
1000  
500  
0
25 °C  
0.5  
(VGS = 20 V, ID = 2 A)  
(VGS = 20 V)  
0
0
2
4
6
8
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
Drain Current, ID (A)  
J unction Tem perature, TJ (°C)  
6
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2020 Littelfuse, Inc.  
Revised: 12/14/2020  
1...345678910

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