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LPM2G050-120

更新时间： 2024-10-15 09:32:03

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

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LPM2G050-120 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CUFM-P11
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-CUFM-P11	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	11
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

LPM2G050-120 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

LPX-XGXXX-XXX

STANDARD LOW COST HERMETIC IGBT MODULES

FEATURES:

High Power Density

Low Saturation Voltage (V_CE(sat)

Low Thermal Resistance (R_qJC

)

INDUSTRIAL IGBT PRODUCT MAP

I_C(Amps)

CONFIG-

URATION

V_ECS(V)

100

200

300

LPM1G300-060

Single

Devices

600

1200

600

LPM1G180-120

LPM2G045-060

LPM2G085-060

LPM2G170-060

Half-

Bridge

LPM2G050-120

LPM2G100-120

LPM2G110-120

LPM4G085-060

1200

LPM4G045-060

LPM4G050-120

LPM6G050-060

600

1200

600

H-Bridge

3-Phase

Bridge

LPM2G025-060

1200

· 221 West Industry Court · Deer Park, NY 11729-4681 · Phone (631) 586-7600 · Fax (631) 242-9798 ·

· World Wide Web Site - http://www.sensitron. com · E-Mail Address - sales@sensitron.com ·

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LPM2G085-060	SENSITRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
LPM2M025-100	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.55ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
LPM2M035-100	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1000V, 0.37ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
LPM2M040-060	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.18ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
LPM2M060-060	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
LPM2M080-030	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 300V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
LPM2M120-030	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 300V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M
LPM2M150-010	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.013ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M
LPM2M200-006	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
LPM2M250-006	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 60V, 0.004ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me